KRI 霍爾離子源 eH 2000
閱讀數: 8463

KRI 霍爾離子源 eH 2000

KRI 霍爾離子源 eH 2000
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更強大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統. 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性
水冷 - 與 eh 1000 對比, 提供更高的離子輸出電流
可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統; 安裝方便
高效的等離子轉換和穩定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術參數

型號

eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO

供電

DC magnetic confinement

  - 電壓

40-300V VDC

  - 離子源直徑

~ 5 cm

  - 陽極結構

模塊化

電源控制

eHx-30010A

配置

-

  - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 離子束發散角度

> 45° (hwhm)

  - 陽極

標準或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移動或快接法蘭

  - 高度

4.0'

  - 直徑

5.7'

  - 加工材料

金屬
電介質
半導體

  - 工藝氣體

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安裝距離

16-45”

  - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH2000 應用領域
•  離子輔助鍍膜 IAD
•  預清洗 Load lock preclean
•  預清洗 In-situ preclean
•  Direct Deposition
•  Surface Modification
•  Low-energy etching
•  III-V Semiconductors
•  Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

 

其他產品
3d试机号近100期开奖号 亚马逊币交易平台 dg视讯app 今日重庆百变王牌开状 浙江体育彩票舟山飞鱼 四川体彩七星彩开奖结果 希腊篮球比分直播 福彩3d和值走势图2 中国竞猜网 俄罗斯五分彩 捕鱼平台 e世博网上百家乐娱乐 超级大乐透开奖规则 澳洲幸运10是官方开奖的吗 内蒙古时时彩计划一Welcome 内部人员揭秘ag录像 甘肃11选5