射頻離子源 RFICP 220
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射頻離子源 RFICP 220

KRI 射頻離子源 RFICP 220
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 標準配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 mA.

KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:

型號

RFICP 220

Discharge 陽極

RF 射頻

離子束流

>800 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

10-40 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

30 cm

直徑

41 cm

中和器

LFN 2000


KRI 射頻離子源 RFICP 220 應用領域:
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
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