霍爾效應測量系統 HEMS
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霍爾效應測量系統 HEMS

HEMS 霍爾效應測量系統
上海伯東英國 NanoMagnetics 儀器 HEMS 霍爾效應測量系統, 多樣品實驗, 非常適合材料研究等應用.

HEMS 霍爾效應測量系統特點
多樣品實驗, van der Pauw 4接觸點 ; Hall Bar 6接觸點
廣泛的材料: GaAs, lnP, lnAs, Si, Ge, SiGe, HgCdTe, GaN, SiC, AIN, 金屬氧化物和有機導體
非常適合于材料研究, 產品開發和質量控制
樣品電阻率, 電阻率, 霍爾系數, 霍爾遷移率, 載流子濃度或電流電壓特性
Windows 操作系統用于系統操作, 數據采集和分析

HEMS  霍爾效應測量系統可以測量
移動測量
載流子測量
電阻率測量
Van der Pauw 測量
Hall Bar 測量

HEMS  霍爾效應測量系統極帽
可調極帽
25mm 面鉆
連續可調 0-1, 30mm 的極隙
可選 50mm, 75mm 更大的鉆心

電磁鐵:
±2.ST@ I 0mm 間隙與 25mm 桿面
±35V, ±70A 線圈
磁場 > ±IT @ 25mm 極隙
磁場強度高, 磁極間距大
串聯線圈電阻: 0.5 0 ( 20℃ )
水冷

HEMS  霍爾效應測量系統樣品臺:
彈簧加載設計選項
Van der Pauw 設計測量
四、六、八觸點廳桿測量設計
容易安裝樣品與彈簧銷
多個樣品安裝

 

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